STW28N65M2-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
STW28N65M2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A， 漏源电压耐压达800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和高频开关能力， 导通与开关损耗较低。 适用于高效率电源转换场合， 如通信电源、光伏逆变系统、不间断电源及高频DC-DC变换器等应用， 可在紧凑布局中实现更高的功率密度与系统效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
33
货期
现货
STW28N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 33 |
STW28N65M2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A， 漏源电压耐压达800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和高频开关能力， 导通与开关损耗较低。 适用于高效率电源转换场合， 如通信电源、光伏逆变系统、不间断电源及高频DC-DC变换器等应用， 可在紧凑布局中实现更高的功率密度与系统效率。
STW28N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STW28N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。