STW25NM60N-VB
IC
TO-247
可供量大可议
STW25NM60N-VB
特性：低品质因数（FOM） Rₒₙ × Q₉。 低输入电容（Cᵢₛₛ）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（QG）。 雪崩能量额定（UIS）。 应用：服务器和电信电源。 开关电源（SMPS）
Brand
VBsemi
Package
TO-247
Stock
2
货期
现货
STW25NM60N-VBParameters
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
STW25NM60N-VB概述
特性：低品质因数（FOM） Rₒₙ × Q₉。 低输入电容（Cᵢₛₛ）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（QG）。 雪崩能量额定（UIS）。 应用：服务器和电信电源。 开关电源（SMPS）
STW25NM60N-VB特性
暂无产品特性。
STW25NM60N-VB应用领域
暂无应用领域。