STW24NM65N-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
STW24NM65N-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为800V， 导通电阻典型值为165mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子系统。 得益于碳化硅材料特性， 器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗， 适合用于高效率电源转换、可再生能源逆变器及各类中高压功率管理场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
4
货期
现货
STW24NM65N-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
STW24NM65N-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为800V， 导通电阻典型值为165mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子系统。 得益于碳化硅材料特性， 器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗， 适合用于高效率电源转换、可再生能源逆变器及各类中高压功率管理场景。
STW24NM65N-HXY特性
暂无产品特性。
STW24NM65N-HXY应用领域
暂无应用领域。