STW10NK60Z
IC
TO-247
可供量大可议
STW10NK60Z
这些器件是采用SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET， 通过优化成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还针对要求最为苛刻的应用， 确保具备高水平的dv/dt能力。
品牌
ST
封装
TO-247
库存
20
货期
现货
STW10NK60Z参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
STW10NK60Z概述
这些器件是采用SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET， 通过优化成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还针对要求最为苛刻的应用， 确保具备高水平的dv/dt能力。
STW10NK60Z特性
暂无产品特性。
STW10NK60Z应用领域
暂无应用领域。