STU417S
IC
TO-252
可供量大可议
STU417S
STU417S采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
TO-252
库存
1,731
货期
现货
STU417S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1731 |
STU417S概述
STU417S采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
STU417S特性
暂无产品特性。
STU417S应用领域
暂无应用领域。