STU2NK100Z
IC
TO-251-3
可供量大可议
STU2NK100Z
这是一款采用 SuperMESH 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET, 是成熟 PowerMESH 技术的优化版本。 该器件不仅显著降低了导通电阻, 还具备高 dV/dt 能力, 适用于要求苛刻的应用。
品牌
ST
封装
TO-251-3
库存
13
货期
现货
STU2NK100Z参数
| 封装 | TO-251-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
STU2NK100Z概述
这是一款采用 SuperMESH 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET, 是成熟 PowerMESH 技术的优化版本。 该器件不仅显著降低了导通电阻, 还具备高 dV/dt 能力, 适用于要求苛刻的应用。
STU2NK100Z特性
暂无产品特性。
STU2NK100Z应用领域
暂无应用领域。
