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STTH806D-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

STTH806D-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在瞬态条件下可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性与较低的导通压降有助于减少开关损耗, 适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

19

货期

现货

STTH806D-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存19

STTH806D-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在瞬态条件下可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性与较低的导通压降有助于减少开关损耗, 适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流应用。

STTH806D-HXY特性

暂无产品特性。

STTH806D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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