STTH806D-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STTH806D-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在瞬态条件下可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性与较低的导通压降有助于减少开关损耗, 适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
19
货期
现货
STTH806D-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STTH806D-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在瞬态条件下可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性与较低的导通压降有助于减少开关损耗, 适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流应用。
STTH806D-HXY特性
暂无产品特性。
STTH806D-HXY应用领域
暂无应用领域。
