STTH3BCF060U-HXY
IC
SMB
可供量大可议
STTH3BCF060U-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时保持较低的功率损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效有较高要求的电源整流及高频转换电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
16
货期
现货
STTH3BCF060U-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
STTH3BCF060U-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时保持较低的功率损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效有较高要求的电源整流及高频转换电路中。
STTH3BCF060U-HXY特性
暂无产品特性。
STTH3BCF060U-HXY应用领域
暂无应用领域。
