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STTH3BCF060U-HXY
IC

SMB

可供量大可议

STTH3BCF060U-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时保持较低的功率损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效有较高要求的电源整流及高频转换电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

16

货期

现货

STTH3BCF060U-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存16

STTH3BCF060U-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时保持较低的功率损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效有较高要求的电源整流及高频转换电路中。

STTH3BCF060U-HXY特性

暂无产品特性。

STTH3BCF060U-HXY应用领域

暂无应用领域。

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