STTH2R06U-HXY
IC
SMB
可供量大可议
STTH2R06U-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等场景, 能够在维持高效运行的同时有效抑制反向恢复损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
40
货期
现货
STTH2R06U-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
STTH2R06U-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等场景, 能够在维持高效运行的同时有效抑制反向恢复损耗。
STTH2R06U-HXY特性
暂无产品特性。
STTH2R06U-HXY应用领域
暂无应用领域。
