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STTH2R06U-HXY
IC

SMB

可供量大可议

STTH2R06U-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等场景, 能够在维持高效运行的同时有效抑制反向恢复损耗。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

40

货期

现货

STTH2R06U-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存40

STTH2R06U-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等场景, 能够在维持高效运行的同时有效抑制反向恢复损耗。

STTH2R06U-HXY特性

暂无产品特性。

STTH2R06U-HXY应用领域

暂无应用领域。

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