STTH2R06A-HXY
IC
SMA
可供量大可议
STTH2R06A-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出较低的导通损耗与优异的反向阻断性能。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为50A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间敏感的电力电子电路, 在保障系统稳定运行的同时有效提升能量转换效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
40
货期
现货
STTH2R06A-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
STTH2R06A-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出较低的导通损耗与优异的反向阻断性能。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为50A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间敏感的电力电子电路, 在保障系统稳定运行的同时有效提升能量转换效率。
STTH2R06A-HXY特性
暂无产品特性。
STTH2R06A-HXY应用领域
暂无应用领域。
