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STTH2R06A-HXY
IC

SMA

可供量大可议

STTH2R06A-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出较低的导通损耗与优异的反向阻断性能。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为50A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间敏感的电力电子电路, 在保障系统稳定运行的同时有效提升能量转换效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

40

货期

现货

STTH2R06A-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存40

STTH2R06A-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出较低的导通损耗与优异的反向阻断性能。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为50A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间敏感的电力电子电路, 在保障系统稳定运行的同时有效提升能量转换效率。

STTH2R06A-HXY特性

暂无产品特性。

STTH2R06A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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