库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
STTH15R06D-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

STTH15R06D-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)高达150A, 可有效应对瞬态过流工况。 器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景, 兼顾高可靠性与紧凑布局需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

STTH15R06D-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

STTH15R06D-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)高达150A, 可有效应对瞬态过流工况。 器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景, 兼顾高可靠性与紧凑布局需求。

STTH15R06D-HXY特性

暂无产品特性。

STTH15R06D-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件