STTH15R06D-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STTH15R06D-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)高达150A, 可有效应对瞬态过流工况。 器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景, 兼顾高可靠性与紧凑布局需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
STTH15R06D-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
STTH15R06D-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)高达150A, 可有效应对瞬态过流工况。 器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景, 兼顾高可靠性与紧凑布局需求。
STTH15R06D-HXY特性
暂无产品特性。
STTH15R06D-HXY应用领域
暂无应用领域。
