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STTH10LCD06SG-TR-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

STTH10LCD06SG-TR-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.3V, 在高温或高频率工作条件下仍能保持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为50μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景, 如高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能变换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

25

货期

现货

STTH10LCD06SG-TR-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

STTH10LCD06SG-TR-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.3V, 在高温或高频率工作条件下仍能保持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为50μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景, 如高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能变换系统。

STTH10LCD06SG-TR-HXY特性

暂无产品特性。

STTH10LCD06SG-TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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