STS9NH3LL-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
STS9NH3LL-HXY
这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计, 具备30V的漏源耐压能力与9A的电流承载水平。 其18mΩ的导通电阻在保持紧凑封装的同时, 实现了优异的能效比, 有效抑制了功率传输过程中的热损耗。 器件支持20V的栅源电压范围, 确保了驱动电路的兼容性与操作的稳定性。 凭借均衡的电气特性, 该组件非常适用于便携式设备的电池保护系统、DC-DC电压转换模块以及各类精密电子负载开关, 为电路提供精准且可靠的功率控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
STS9NH3LL-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
STS9NH3LL-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计, 具备30V的漏源耐压能力与9A的电流承载水平。 其18mΩ的导通电阻在保持紧凑封装的同时, 实现了优异的能效比, 有效抑制了功率传输过程中的热损耗。 器件支持20V的栅源电压范围, 确保了驱动电路的兼容性与操作的稳定性。 凭借均衡的电气特性, 该组件非常适用于便携式设备的电池保护系统、DC-DC电压转换模块以及各类精密电子负载开关, 为电路提供精准且可靠的功率控制。
STS9NH3LL-HXY特性
暂无产品特性。
STS9NH3LL-HXY应用领域
暂无应用领域。
