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STS9NH3LL-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

STS9NH3LL-HXY

这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计, 具备30V的漏源耐压能力与9A的电流承载水平。 其18mΩ的导通电阻在保持紧凑封装的同时, 实现了优异的能效比, 有效抑制了功率传输过程中的热损耗。 器件支持20V的栅源电压范围, 确保了驱动电路的兼容性与操作的稳定性。 凭借均衡的电气特性, 该组件非常适用于便携式设备的电池保护系统、DC-DC电压转换模块以及各类精密电子负载开关, 为电路提供精准且可靠的功率控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

STS9NH3LL-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

STS9NH3LL-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计, 具备30V的漏源耐压能力与9A的电流承载水平。 其18mΩ的导通电阻在保持紧凑封装的同时, 实现了优异的能效比, 有效抑制了功率传输过程中的热损耗。 器件支持20V的栅源电压范围, 确保了驱动电路的兼容性与操作的稳定性。 凭借均衡的电气特性, 该组件非常适用于便携式设备的电池保护系统、DC-DC电压转换模块以及各类精密电子负载开关, 为电路提供精准且可靠的功率控制。

STS9NH3LL-HXY特性

暂无产品特性。

STS9NH3LL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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