STS8DN3LLH5-HXY

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构， 支持双向导通与高效开关操作。 其最大漏极电流ID为8.5A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 适用于中低功率电源系统。 17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗， 提高整体效率。 该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中， 提供稳定可靠的电力控制性能， 满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。