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STS6NF20V
IC

SO-8

可供量大可议

STS6NF20V

N沟道20 V、30 mOhm典型值、6 A、2.7 V驱动STripFET II功率MOSFET, SO-8封装

品牌

ST

封装

SO-8

库存

16

货期

现货

STS6NF20V参数

封装SO-8
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存16

STS6NF20V概述

N沟道20 V、30 mOhm典型值、6 A、2.7 V驱动STripFET II功率MOSFET, SO-8封装

STS6NF20V特性

暂无产品特性。

STS6NF20V应用领域

暂无应用领域。

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