STS5N15F4
IC
SO-8
可供量大可议
STS5N15F4
这种STripFET DeepGATE功率MOSFET技术是最新的改进技术之一， 该技术经过特别设计， 采用全新的栅极结构， 可最大程度降低导通电阻， 并提供出色的开关性能。
品牌
ST
封装
SO-8
库存
20
货期
现货
STS5N15F4参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
STS5N15F4概述
这种STripFET DeepGATE功率MOSFET技术是最新的改进技术之一， 该技术经过特别设计， 采用全新的栅极结构， 可最大程度降低导通电阻， 并提供出色的开关性能。
STS5N15F4特性
暂无产品特性。
STS5N15F4应用领域
暂无应用领域。