STS2DNF30L-VB
IC
SO-8
可供量大可议
STS2DNF30L-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双路N+N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于中功率功率控制和开关应用， 中功率电子设备的功率开关和控制模块。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 6.8A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
50
货期
现货
STS2DNF30L-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
STS2DNF30L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双路N+N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于中功率功率控制和开关应用， 中功率电子设备的功率开关和控制模块。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 6.8A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
STS2DNF30L-VB特性
暂无产品特性。
STS2DNF30L-VB应用领域
暂无应用领域。