STS14N3LLH5-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
STS14N3LLH5-HXY
该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 低导通电阻有助于在高电流条件下减少功率损耗， 提升系统效率。 适用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路及高频开关应用等场景， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
90
货期
现货
STS14N3LLH5-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
STS14N3LLH5-HXY概述
该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 低导通电阻有助于在高电流条件下减少功率损耗， 提升系统效率。 适用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路及高频开关应用等场景， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
STS14N3LLH5-HXY特性
暂无产品特性。
STS14N3LLH5-HXY应用领域
暂无应用领域。