STS10PF30L-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
STS10PF30L-HXY
该P沟道场效应管具备11A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30V, 导通电阻典型值为13mΩ。 其低阻抗特性有助于减少功率损耗并优化热管理性能, 适合在有限空间内实现高效开关控制。 主要应用于笔记本电脑电源路径管理、电池组保护电路及手持设备负载切换方案, 满足消费电子对高集成度与稳定性的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
STS10PF30L-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
STS10PF30L-HXY概述
该P沟道场效应管具备11A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30V, 导通电阻典型值为13mΩ。 其低阻抗特性有助于减少功率损耗并优化热管理性能, 适合在有限空间内实现高效开关控制。 主要应用于笔记本电脑电源路径管理、电池组保护电路及手持设备负载切换方案, 满足消费电子对高集成度与稳定性的需求。
STS10PF30L-HXY特性
暂无产品特性。
STS10PF30L-HXY应用领域
暂无应用领域。
