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STS10PF30L-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

STS10PF30L-HXY

该P沟道场效应管具备11A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30V, 导通电阻典型值为13mΩ。 其低阻抗特性有助于减少功率损耗并优化热管理性能, 适合在有限空间内实现高效开关控制。 主要应用于笔记本电脑电源路径管理、电池组保护电路及手持设备负载切换方案, 满足消费电子对高集成度与稳定性的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

STS10PF30L-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存40

STS10PF30L-HXY概述

该P沟道场效应管具备11A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30V, 导通电阻典型值为13mΩ。 其低阻抗特性有助于减少功率损耗并优化热管理性能, 适合在有限空间内实现高效开关控制。 主要应用于笔记本电脑电源路径管理、电池组保护电路及手持设备负载切换方案, 满足消费电子对高集成度与稳定性的需求。

STS10PF30L-HXY特性

暂无产品特性。

STS10PF30L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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