STQ2HNK60ZR-AP

这些高压器件是采用 SuperMESH 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET， 该技术是对成熟的 PowerMESH 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外， 这些器件还旨在为要求最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。