STQ1NK60ZR-AP
IC
TO-92
可供量大可议
STQ1NK60ZR-AP
这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET， 该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。
品牌
ST
封装
TO-92
库存
1,060
货期
现货
STQ1NK60ZR-AP参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1060 |
STQ1NK60ZR-AP概述
这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET， 该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。
STQ1NK60ZR-AP特性
暂无产品特性。
STQ1NK60ZR-AP应用领域
暂无应用领域。