STQ1HNK60R-AP
IC
TO-92
可供量大可议
STQ1HNK60R-AP
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET， 采用SuperMESH™技术开发， 是成熟的PowerMESH™的优化版本。 除了显著降低导通电阻外， 这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
品牌
ST
封装
TO-92
库存
50
货期
现货
STQ1HNK60R-AP参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
STQ1HNK60R-AP概述
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET， 采用SuperMESH™技术开发， 是成熟的PowerMESH™的优化版本。 除了显著降低导通电阻外， 这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
STQ1HNK60R-AP特性
暂无产品特性。
STQ1HNK60R-AP应用领域
暂无应用领域。