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STPSC6H065DLF-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

STPSC6H065DLF-HXY

该款碳化硅二极管采用独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.32V, 有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的优异特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换设计。 其稳定的电气性能和高可靠性, 使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

17

货期

现货

STPSC6H065DLF-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存17

STPSC6H065DLF-HXY概述

该款碳化硅二极管采用独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.32V, 有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的优异特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换设计。 其稳定的电气性能和高可靠性, 使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。

STPSC6H065DLF-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC6H065DLF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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