STPSC6H065DLF-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
STPSC6H065DLF-HXY
该款碳化硅二极管采用独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.32V, 有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的优异特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换设计。 其稳定的电气性能和高可靠性, 使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
17
货期
现货
STPSC6H065DLF-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 17 |
STPSC6H065DLF-HXY概述
该款碳化硅二极管采用独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.32V, 有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的优异特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换设计。 其稳定的电气性能和高可靠性, 使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。
STPSC6H065DLF-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC6H065DLF-HXY应用领域
暂无应用领域。
