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STPSC6C065DY-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

STPSC6C065DY-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 并能承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频开关应用中展现出良好的动态性能与热稳定性, 适用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

STPSC6C065DY-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

STPSC6C065DY-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 并能承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频开关应用中展现出良好的动态性能与热稳定性, 适用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换场合。

STPSC6C065DY-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC6C065DY-HXY应用领域

暂无应用领域。

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