STPSC6C065DY-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STPSC6C065DY-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 并能承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频开关应用中展现出良好的动态性能与热稳定性, 适用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
STPSC6C065DY-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
STPSC6C065DY-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 并能承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频开关应用中展现出良好的动态性能与热稳定性, 适用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换场合。
STPSC6C065DY-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC6C065DY-HXY应用领域
暂无应用领域。
