STPSC606D-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STPSC606D-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在瞬态条件下可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 具备快速开关响应和极低的反向恢复电荷, 适用于高频整流、高效率电源转换以及对体积和热性能有较高要求的电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
STPSC606D-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
STPSC606D-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在瞬态条件下可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 具备快速开关响应和极低的反向恢复电荷, 适用于高频整流、高效率电源转换以及对体积和热性能有较高要求的电力电子系统。
STPSC606D-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC606D-HXY应用领域
暂无应用领域。
