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STPSC606D-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

STPSC606D-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在瞬态条件下可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 具备快速开关响应和极低的反向恢复电荷, 适用于高频整流、高效率电源转换以及对体积和热性能有较高要求的电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

STPSC606D-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

STPSC606D-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在瞬态条件下可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 具备快速开关响应和极低的反向恢复电荷, 适用于高频整流、高效率电源转换以及对体积和热性能有较高要求的电力电子系统。

STPSC606D-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC606D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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