STPSC4G065UFY-HXY
IC
SMBF
可供量大可议
STPSC4G065UFY-HXY
该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于高效率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 在同类器件中表现出较低的导通损耗, 有助于提升系统整体能效。 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断特性与高温稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件可在较高结温下稳定工作, 适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中, 实现快速开关与低损耗运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMBF
库存
477
货期
现货
STPSC4G065UFY-HXY参数
| 封装 | SMBF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 477 |
STPSC4G065UFY-HXY概述
该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于高效率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 在同类器件中表现出较低的导通损耗, 有助于提升系统整体能效。 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断特性与高温稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件可在较高结温下稳定工作, 适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中, 实现快速开关与低损耗运行。
STPSC4G065UFY-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC4G065UFY-HXY应用领域
暂无应用领域。
