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STPSC4G065UFY-HXY
IC

SMBF

可供量大可议

STPSC4G065UFY-HXY

该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于高效率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 在同类器件中表现出较低的导通损耗, 有助于提升系统整体能效。 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断特性与高温稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件可在较高结温下稳定工作, 适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中, 实现快速开关与低损耗运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMBF

库存

477

货期

现货

STPSC4G065UFY-HXY参数

封装SMBF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存477

STPSC4G065UFY-HXY概述

该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于高效率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 在同类器件中表现出较低的导通损耗, 有助于提升系统整体能效。 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断特性与高温稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件可在较高结温下稳定工作, 适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中, 实现快速开关与低损耗运行。

STPSC4G065UFY-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC4G065UFY-HXY应用领域

暂无应用领域。

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