STPSC406D-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STPSC406D-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 器件基于碳化硅材料特性, 具备快速恢复与低开关损耗优势, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景, 如高频整流、功率因数校正及各类高密度电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
19
货期
现货
STPSC406D-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STPSC406D-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 器件基于碳化硅材料特性, 具备快速恢复与低开关损耗优势, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景, 如高频整流、功率因数校正及各类高密度电力电子系统。
STPSC406D-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC406D-HXY应用领域
暂无应用领域。
