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STPSC406D-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

STPSC406D-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 器件基于碳化硅材料特性, 具备快速恢复与低开关损耗优势, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景, 如高频整流、功率因数校正及各类高密度电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

19

货期

现货

STPSC406D-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存19

STPSC406D-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 器件基于碳化硅材料特性, 具备快速恢复与低开关损耗优势, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景, 如高频整流、功率因数校正及各类高密度电力电子系统。

STPSC406D-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC406D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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