STPSC10H12B2-TR-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STPSC10H12B2-TR-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 适用于高电压、高效率的电力电子电路。 其正向导通压降(VF)为1.39V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性, 该器件支持高频工作, 反向恢复特性优良, 适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
20
货期
现货
STPSC10H12B2-TR-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
STPSC10H12B2-TR-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 适用于高电压、高效率的电力电子电路。 其正向导通压降(VF)为1.39V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性, 该器件支持高频工作, 反向恢复特性优良, 适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。
STPSC10H12B2-TR-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC10H12B2-TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
