库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
STPSC10H12B2-TR-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STPSC10H12B2-TR-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 适用于高电压、高效率的电力电子电路。 其正向导通压降(VF)为1.39V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性, 该器件支持高频工作, 反向恢复特性优良, 适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

20

货期

现货

STPSC10H12B2-TR-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存20

STPSC10H12B2-TR-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 适用于高电压、高效率的电力电子电路。 其正向导通压降(VF)为1.39V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性, 该器件支持高频工作, 反向恢复特性优良, 适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。

STPSC10H12B2-TR-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC10H12B2-TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件