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STPSC10G065DY-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

STPSC10G065DY-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下展现出低导通损耗与快速开关响应, 适用于对能效和热性能要求较高的电源转换场合, 如数据中心供电、通信电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

STPSC10G065DY-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

STPSC10G065DY-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下展现出低导通损耗与快速开关响应, 适用于对能效和热性能要求较高的电源转换场合, 如数据中心供电、通信电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。

STPSC10G065DY-HXY特性

暂无产品特性。

STPSC10G065DY-HXY应用领域

暂无应用领域。

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