STPSC10G065DY-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STPSC10G065DY-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下展现出低导通损耗与快速开关响应, 适用于对能效和热性能要求较高的电源转换场合, 如数据中心供电、通信电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
STPSC10G065DY-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
STPSC10G065DY-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下展现出低导通损耗与快速开关响应, 适用于对能效和热性能要求较高的电源转换场合, 如数据中心供电、通信电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。
STPSC10G065DY-HXY特性
暂无产品特性。
STPSC10G065DY-HXY应用领域
暂无应用领域。
