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STPS4S200S-HXY
IC

SMC

可供量大可议

STPS4S200S-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.92V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流仅为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流电路及各类对效率和瞬态响应有要求的电子系统中, 确保在高负载波动下稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

85

货期

现货

STPS4S200S-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存85

STPS4S200S-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.92V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流仅为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流电路及各类对效率和瞬态响应有要求的电子系统中, 确保在高负载波动下稳定运行。

STPS4S200S-HXY特性

暂无产品特性。

STPS4S200S-HXY应用领域

暂无应用领域。

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