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STPS3L60S-HXY
IC

SMC

可供量大可议

STPS3L60S-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为3A, 最大反向电压VR达60V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向截止性能。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中, 能有效提升系统效率与响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

525

货期

现货

STPS3L60S-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存525

STPS3L60S-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为3A, 最大反向电压VR达60V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向截止性能。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中, 能有效提升系统效率与响应速度。

STPS3L60S-HXY特性

暂无产品特性。

STPS3L60S-HXY应用领域

暂无应用领域。

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