STPS3L60S-HXY
IC
SMC
可供量大可议
STPS3L60S-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为3A, 最大反向电压VR达60V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向截止性能。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中, 能有效提升系统效率与响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
525
货期
现货
STPS3L60S-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 525 |
STPS3L60S-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为3A, 最大反向电压VR达60V。 在正常导通状态下, 其正向压降VF为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向截止性能。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中, 能有效提升系统效率与响应速度。
STPS3L60S-HXY特性
暂无产品特性。
STPS3L60S-HXY应用领域
暂无应用领域。
