STPS3H100U-HXY
IC
SMB
可供量大可议
STPS3H100U-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、便携设备充电模块及各类电子系统的电源路径中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
185
货期
现货
STPS3H100U-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
STPS3H100U-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、便携设备充电模块及各类电子系统的电源路径中。
STPS3H100U-HXY特性
暂无产品特性。
STPS3H100U-HXY应用领域
暂无应用领域。
