STPS2H100AFY-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
STPS2H100AFY-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于开关电源、便携式电子设备、电源管理模块及高频整流电路等场景, 满足对效率与可靠性的基本需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
140
货期
现货
STPS2H100AFY-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
STPS2H100AFY-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于开关电源、便携式电子设备、电源管理模块及高频整流电路等场景, 满足对效率与可靠性的基本需求。
STPS2H100AFY-HXY特性
暂无产品特性。
STPS2H100AFY-HXY应用领域
暂无应用领域。
