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STPS20S100CT-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

STPS20S100CT-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效率整流与快速响应的电源转换场合, 常见于开关电源、适配器及各类直流变换电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

40

货期

现货

STPS20S100CT-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

STPS20S100CT-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效率整流与快速响应的电源转换场合, 常见于开关电源、适配器及各类直流变换电路中。

STPS20S100CT-HXY特性

暂无产品特性。

STPS20S100CT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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