STPS20S100CT-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
STPS20S100CT-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效率整流与快速响应的电源转换场合, 常见于开关电源、适配器及各类直流变换电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
40
货期
现货
STPS20S100CT-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
STPS20S100CT-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效率整流与快速响应的电源转换场合, 常见于开关电源、适配器及各类直流变换电路中。
STPS20S100CT-HXY特性
暂无产品特性。
STPS20S100CT-HXY应用领域
暂无应用领域。
