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STPS20150CT-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

STPS20150CT-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达150V。 其正向压降典型值为0.92V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场合, 具备优良的动态响应与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

39

货期

现货

STPS20150CT-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存39

STPS20150CT-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达150V。 其正向压降典型值为0.92V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场合, 具备优良的动态响应与可靠性。

STPS20150CT-HXY特性

暂无产品特性。

STPS20150CT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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