STPS20150CT-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
STPS20150CT-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达150V。 其正向压降典型值为0.92V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场合, 具备优良的动态响应与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
39
货期
现货
STPS20150CT-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 39 |
STPS20150CT-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达150V。 其正向压降典型值为0.92V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场合, 具备优良的动态响应与可靠性。
STPS20150CT-HXY特性
暂无产品特性。
STPS20150CT-HXY应用领域
暂无应用领域。
