STPS1L40ZF-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
STPS1L40ZF-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流(IR)为200μA, 表现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、电池供电设备及高频整流等对效率和响应速度有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
180
货期
现货
STPS1L40ZF-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
STPS1L40ZF-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流(IR)为200μA, 表现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、电池供电设备及高频整流等对效率和响应速度有要求的电子电路中。
STPS1L40ZF-HXY特性
暂无产品特性。
STPS1L40ZF-HXY应用领域
暂无应用领域。
