STPS160A-HXY
IC
SMA
可供量大可议
STPS160A-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
75
货期
现货
STPS160A-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 75 |
STPS160A-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。
STPS160A-HXY特性
暂无产品特性。
STPS160A-HXY应用领域
暂无应用领域。
