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STPS160A-HXY
IC

SMA

可供量大可议

STPS160A-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

75

货期

现货

STPS160A-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存75

STPS160A-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

STPS160A-HXY特性

暂无产品特性。

STPS160A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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