STPR860D-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
STPR860D-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有8A的额定正向电流和600V的反向重复峰值电压, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流仅为10μA, 体现出优异的阻断能力与导通特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对开关速度、能效及可靠性有较高要求的电源整流与高频转换场合, 在保持低损耗的同时确保系统稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
21
货期
现货
STPR860D-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
STPR860D-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有8A的额定正向电流和600V的反向重复峰值电压, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流仅为10μA, 体现出优异的阻断能力与导通特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对开关速度、能效及可靠性有较高要求的电源整流与高频转换场合, 在保持低损耗的同时确保系统稳定运行。
STPR860D-HXY特性
暂无产品特性。
STPR860D-HXY应用领域
暂无应用领域。
