STP9NM50N-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
STP9NM50N-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFE， 采用SJ_Multi-EPI技术制造， 适用于工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 700V； 9A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
8
货期
现货
STP9NM50N-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
STP9NM50N-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFE， 采用SJ_Multi-EPI技术制造， 适用于工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 700V； 9A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
STP9NM50N-VB特性
暂无产品特性。
STP9NM50N-VB应用领域
暂无应用领域。