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STP9N65M2-HXY
IC

TO-220H

可供量大可议

STP9N65M2-HXY

该N沟道场效应管额定漏源电压650V, 连续漏极电流10A, 导通电阻860mΩ, 栅源电压耐受值30V。 器件凭借高压阻断能力与明确的栅极驱动规格, 适用于各类离线式开关电源及高压功率转换电路。 其参数组合旨在界定安全工作区与导通损耗特性, 适合构建高可靠性功率级, 满足复杂电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供精确的功率控制基础。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220H

库存

23

货期

现货

STP9N65M2-HXY参数

封装TO-220H
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

STP9N65M2-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏源电压650V, 连续漏极电流10A, 导通电阻860mΩ, 栅源电压耐受值30V。 器件凭借高压阻断能力与明确的栅极驱动规格, 适用于各类离线式开关电源及高压功率转换电路。 其参数组合旨在界定安全工作区与导通损耗特性, 适合构建高可靠性功率级, 满足复杂电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供精确的功率控制基础。

STP9N65M2-HXY特性

暂无产品特性。

STP9N65M2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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