STP9N60M2-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
STP9N60M2-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=580mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
19
货期
现货
STP9N60M2-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STP9N60M2-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=580mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
STP9N60M2-VB特性
暂无产品特性。
STP9N60M2-VB应用领域
暂无应用领域。