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STP90N4F3-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

STP90N4F3-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单体N型MOSFET, 采用Trench工艺, 具有优异的性能和稳定性。 适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。 TO220; N—Channel沟道, 40V; 110A; RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

20

货期

现货

STP90N4F3-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

STP90N4F3-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单体N型MOSFET, 采用Trench工艺, 具有优异的性能和稳定性。 适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。 TO220; N—Channel沟道, 40V; 110A; RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

STP90N4F3-VB特性

暂无产品特性。

STP90N4F3-VB应用领域

暂无应用领域。

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