STP8NM60-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压（VDSS）为650V， 支持10A连续漏极电流（ID）， 栅源电压（VGS）耐受值为30V。 其导通电阻（RDON）为860mΩ， 适用于中高电压下的功率开关场景。 器件常用于开关电源、适配器及照明驱动电路， 能在高耐压条件下实现稳定的电流控制与信号切换， 满足通用电子设备对功率转换效率的基础需求。