STP80N6F6
IC
TO-220
可供量大可议
STP80N6F6
该器件是一款采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET， 具备全新的栅极结构。 由此制成的功率MOSFET在所有封装形式中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
40
货期
现货
STP80N6F6参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
STP80N6F6概述
该器件是一款采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET， 具备全新的栅极结构。 由此制成的功率MOSFET在所有封装形式中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
STP80N6F6特性
暂无产品特性。
STP80N6F6应用领域
暂无应用领域。