STP80N10F7-HXY

该N沟道MOSFET具备70A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。 低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、高频率的开关场合， 如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子系统中， 能够稳定支持持续大电流工作需求。