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STP77N6F6-HXY
IC

TO-220

可供量大可议

STP77N6F6-HXY

这款N沟道场效应管专为高效能电路设计, 具备60V耐压与80A大电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 能有效降低运行功耗与发热, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了电路的稳定性。 该器件广泛适用于锂电池储能系统的充放电保护、大功率直流负载开关以及低压逆变电源等场景, 能够满足对高可靠性和快速响应有严格要求的复杂应用环境。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

24

货期

现货

STP77N6F6-HXY参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

STP77N6F6-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效能电路设计, 具备60V耐压与80A大电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 能有效降低运行功耗与发热, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了电路的稳定性。 该器件广泛适用于锂电池储能系统的充放电保护、大功率直流负载开关以及低压逆变电源等场景, 能够满足对高可靠性和快速响应有严格要求的复杂应用环境。

STP77N6F6-HXY特性

暂无产品特性。

STP77N6F6-HXY应用领域

暂无应用领域。

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