STP77N6F6-HXY
IC
TO-220
可供量大可议
STP77N6F6-HXY
这款N沟道场效应管专为高效能电路设计, 具备60V耐压与80A大电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 能有效降低运行功耗与发热, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了电路的稳定性。 该器件广泛适用于锂电池储能系统的充放电保护、大功率直流负载开关以及低压逆变电源等场景, 能够满足对高可靠性和快速响应有严格要求的复杂应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
24
货期
现货
STP77N6F6-HXY参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
STP77N6F6-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效能电路设计, 具备60V耐压与80A大电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 能有效降低运行功耗与发热, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了电路的稳定性。 该器件广泛适用于锂电池储能系统的充放电保护、大功率直流负载开关以及低压逆变电源等场景, 能够满足对高可靠性和快速响应有严格要求的复杂应用环境。
STP77N6F6-HXY特性
暂无产品特性。
STP77N6F6-HXY应用领域
暂无应用领域。
