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STP60N3LH5-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

STP60N3LH5-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N), 采用Trench工艺制造。 适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。 TO220; N—Channel沟道, 30V; 70A; RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

84

货期

现货

STP60N3LH5-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存84

STP60N3LH5-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N), 采用Trench工艺制造。 适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。 TO220; N—Channel沟道, 30V; 70A; RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~2.5V

STP60N3LH5-VB特性

暂无产品特性。

STP60N3LH5-VB应用领域

暂无应用领域。

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