STP5NK65ZFP-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STP5NK65ZFP-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。 栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。 其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效， 适合用于高频、高效率的电源转换架构中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
15
货期
现货
STP5NK65ZFP-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
STP5NK65ZFP-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。 栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。 其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效， 适合用于高频、高效率的电源转换架构中。
STP5NK65ZFP-HXY特性
暂无产品特性。
STP5NK65ZFP-HXY应用领域
暂无应用领域。