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STP45N10F7-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

STP45N10F7-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道; 100V; 70A; RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=1.8V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

4

货期

现货

STP45N10F7-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

STP45N10F7-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道; 100V; 70A; RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=1.8V; 采用Trench技术

STP45N10F7-VB特性

暂无产品特性。

STP45N10F7-VB应用领域

暂无应用领域。

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