STP40NF10

这款 N 沟道 100 V 功率 MOSFET 是基于独特“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。 由此制成的晶体管展现出极高的封装密度， 具备低导通电阻、出色的雪崩特性， 且对准步骤要求较低， 使得制造过程具有卓越的可重复性。